化学蒸気堆積 CVD ウォルフスタンリング製品 半導体

モデル番号 タングステン リング
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価格 Negitionable
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商品の詳細
名前 タングステン リング 分子重量 183.85
融点 3410 °C 密度 19.3 g/cm3
適用する 半導体、化学気相堆積(CVD) 引張強さ 750 MPa
ハイライト

半導体タングスタン製品

,

半導体タングランリング

メッセージ
製品の説明

化学蒸気堆積 CVD ウォルフタン製品 半導体 ウォルフタンリング

 

ワルフスタンリングは,幅,厚さ,リング直径でカスタマイズすることができます. ワルフスタンリングは,カスタマイズされた形状の穴があり,開くか閉まる可能性があります. アメリカン・エレメントは,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純均質な形状のタングメンリング. 私たちは,アニールまたはハードテンパーでカスタムリングを提供し,最も一般的なMilspecまたはASTM基準を満たします. タングスタムリングは,金属の空洞で円形なパーツであり,カスタムサイズで生産することができます.標準合金に加えて耐腐蝕合金 高温用品 オーダーメイド形状 オーダーメイド内外寸法や糸などアメリカン・エレメントは,ストラッドとしてワルフスタンも生産していますトルンプスタムリングは,様々な用途で部品として使用できます.

 

パラメータ

 

分子重量

183.85

外見

銀色

溶融点

3410 °C

沸点

5900 °C

密度

19.3g/cm3

H2O に溶解性

N/A

電気抵抗性

5.65 μΩ ·m (27 °C)

電子負の力

1.7 パウリングス

融合 の 熱

35.3 kJ/mol

蒸発する熱

806.7 kJ/mol

ポイスン比

0.28

特定熱量

0.133 J/g mol (20 °C)

張力強度

750 MPa

熱伝導性

1.73 W/m K

熱膨張

(25 °C) 4.5 μm·m-1·K-1

ヴィッカース硬さ

3430 MPa

ヤングのモジュール

411 GPa

 

ワルフタンリングの用途

 

1半導体,化学蒸気堆積 (CVD) と物理蒸気堆積 (PVD) のディスプレイおよび光学アプリケーションに広く使用されています.

2電子や真空用途における電極,加熱要素,ヒートシールド,シンタリングトレイ,シンタリングボート,スタッピングシート,ベースプレート,スプッターターゲット,チュージブルの製造に使用される.

3自動車モーターのコンタクトとして使用できます.