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W ワルグスタン ターゲット 稀土の溶融 チタン ワルグスタン 噴射 ターゲット

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x名前 | タングランの噴射標的 | 形状 | 丸い |
---|---|---|---|
材料 | W タングスタム | 化学組成 | 99.95%最小 |
表面状態 | 、地上旋盤にかけられる、磨くか、またはミラーの磨くこと | 適用する | 航空宇宙,稀土の溶融 |
ハイライト | W ターンプトン標的,W タイタン・ウルグラン 発射対象,稀土の溶融タングスタム標的 |
W ワルフスタン 噴射 航空宇宙 稀土の溶融
ワルフタン噴射 航空宇宙,稀土の溶融,電気光源,化学機器,医療機器,金属機械,溶融機器,石油などに広く使用されている標的
パラメーター
オーダーデメリット (OD) |
ID (mm) |
長さ (mm) |
オーダーメイド |
140〜300 |
120〜280 |
100~3300 |
モデル番号 |
W1 |
|||
形状 |
オーダーメイド |
|||
化学組成 |
99.95%W |
特徴
仕様
原子番号 |
74 |
CAS番号 |
7440-33-7 |
原子質量 |
183.84 [g/mol] |
溶融点 |
3420 °C |
沸点 |
5555 °C |
密度 20 °C |
19.25 [g/cm3] |
結晶構造 |
身体を中心とした立方体 |
20 °C の線形熱膨張係数 |
4.410-6[m/mK] |
20°Cでの熱伝導性 |
[W/mK] |
20 °C の特異熱 |
0.13 [J/gK] |
電気伝導性 20 °C |
18.2106[S/m] |
20°Cの特異電圧抵抗 |
0.055 [(mm2) /m] |
応用
半導体
化学蒸気堆積 (CVD)
物理蒸気堆積 (PVD) ディスプレイ